Heinz-Leuze-Preis 2021 für Beitrag zu galvanischer Aluminium-Abscheidung verliehen

Den Heinz-Leuze-Preis für das Jahr 2021 verlieh die DGO, vertreten durch ihren Vorsitzenden, Dr. Martin Metzner, und den Vorsitzenden des Preiskuratoriums, Professor Andreas Bund, an drei Autoren eines Beitrags zur galvanischen Aluminium-Abscheidung auf unterschiedlichen Startschichten für die Leiterplatten- und Mikrosystemtechnik.

Den vom Eugen G. Leuze Verlag für bedeutende Publikationen zur Galvanotechnik gestiftete Preis erhielten Silvia Braun, Prof. Thomas Otto und Dr. Maik Wiemer vom Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Chemnitz.

Der Verlag überreicht den Preisträgern eine Silberplakette und ein Preisgeld von 1.000 Euro für ihren gemeinsamen Beitrag „Galvanische Aluminium-Abscheidung auf unterschiedlichen Startschichten für die Leiterplatten- und Mikrosystemtechnik /Teil 1–3“, erschienen in der Fachzeitschrift Galvanotechnik.  

Das Preiskuratorium schreibt in seiner Begründung: „Für elektrische und thermische Kontaktierungen in der Elektronik und Mikrosystemtechnik sind Kupferschichten Stand der Technik. Aus einer Reihe von Gründen (zum Beispiel Gewicht und Verfügbarkeit) ist Aluminium ein aussichtsreicher Kandidat für den Ersatz von Kupfer. Für viele Prozesse wäre ein galvanischer Prozess für die Erzeugung von Aluminiumschichten in diesen Anwendungen wünschenswert. Dies ist aufgrund des negativen Nernst-Potentials von Aluminium aber mit einigen Herausforderungen verbunden.

In ihrem dreiteiligen Fachaufsatz „Galvanische Aluminium-Abscheidung auf unterschiedlichen Startschichten für die Leiterplatten- und Mikrosystemtechnik" (Galvanotechnik Band 111, 2020, Ausgabe 6, S. 873–878, Ausgabe 7, S. 1038–1043, Ausgabe 8, S. 1190–1195) diskutieren Braun, Wiemer und Otto auf wissenschaftlich hohem Niveau und didaktisch sehr gut aufbereitet die Abscheidung und Charakterisierung von Al-Schichten aus einer ionischen Flüssigkeit.

Die Arbeit zeichnet sich durch eine sorgfältige elektrochemische und strukturelle Analyse des Prozesses und der erhaltenen Schichten und Durchkontaktierungen aus. Struktur, Gefüge und Zusammensetzung der Abscheidungen sind gut nachvollziehbar mit ihrem elektrischen Verhalten korreliert. 

Die Publikation zeigt eindrucksvoll, wie galvanische Prozesse für Aluminium für die Produktion von Leiterplatten und in der Mikrosystemtechnik eingesetzt werden können."