Dr. Carl A. Dannenberg (Bundesanstalt für Arbeitsschutz und Arbeitsmedizin - BAuA) stellte den aktuellen Stand des europäischen PFAS-Beschränkungsvorhabens vor, dessen Beschränkungstext aktuell mit den nationalen Stellen in Schweden, Norwegen, Dänemark und den Niederlanden ausgearbeitet wird und noch in diesem Jahr bei der ECHA/SEAC eingereicht werden soll. Anwendungsfälle, bei denen mit einer dauerhaften/unbeschränkten PFAS-Nutzung gerechnet werden kann, sind z.B. bestimmte implantierbare Medizinprodukte oder Ausnahmen im Bereich elektrische/thermische Isolation. Für weitere industrierelevante Szenarien – etwa Galvanikanlagen mit PFAS-basierten Auskleidungen – wird mit Übergangszeiträumen für das Inverkehrbringen von bis zu 13,5 Jahren nach Inkrafttreten gerechnet. Für Chemisch-Nickel-PTFE-Dispersionsbeschichtungen sind im aktuellen Hintergrunddokument keine spezifischen Ausnahmen bzw. Übergangszeiträume vorgesehen, wohlmöglich aber in den sektorspezifischen Anwendungen der jeweiligen Kundenbranchen. Das Dossier wird binnen der nächsten Monate veröffentlicht, 60 Tage nach Veröffentlichung soll eine öffentliche Konsultation folgen.
Weiter präsentierte Marco Heuer (Evonik) Ansätze zur Substitution von PFAS in Lack- und Beschichtungssystemen. Für zahlreiche Anwendungen existieren bereits praxistaugliche Alternativen, wobei weiterhin Lücken hinsichtlich spezieller Leistungsanforderungen bestehen. Ergänzend zeigte Dr. Jonas Friebel (Fraunhofer IFAM) forschungsseitige Entwicklungen funktionaler PFAS-freier Beschichtungssysteme, etwa im Bereich antiadhäsiver bzw. anti-Eis-Beschichtungen. Die vollständige technologische Substitution sei jedoch – analog zur Cr(VI)-Problematik – in Teilbereichen noch nicht abbildbar.
Der Gemeinschaftsausschuss wird in Kooperation von DGO, INPLAS, DFO und EFDS i.d.R. zweimal jährlich organisiert und steht unter der Leitung von Dr. Petra Uhlmann, Abteilungsleiterin für Nanostrukturierte Materialien am IPF. Die nächste Sitzung findet statt am 30. Oktober 2025 am Fraunhofer IST in Braunschweig.